Les États membres doivent veiller à ce que les mesures prises soient conformes à l'avis du comité de surveillance.
Définition:
FET RF 65V 1,99 GHz H-36260-2
Catégorie:
Circuit intégré de TI
In-stock:
en stock
Méthode de paiement:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, express
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les FET, les MOS
Statut du produit:
Arrêté par Digi-Key
Type de montage:
Montage du châssis
Voltage - Nominal:
65 V
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Figure du bruit:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
H-36260-2
Tension - essai:
30 V
Mfr:
Infineon Technologies
Fréquence:
10,99 GHz
Les gains:
150,9 dB
Emballage / boîtier:
H-36260-2
Actuel - essai:
1.8 A
Puissance - Sortie:
50 W
Technologie:
ldmos
Rating de courant (ampères):
10µA
Numéro du produit de base:
Les États membres
Introduction
RF Mosfet 30 V 1,8 A 1,99 GHz 15,9 dB 50 W H-36260-2
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Le stock:
In Stock
Nombre de pièces: