NE552R679A-T1A-A
Définition:
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.
Catégorie:
Circuit intégré de TI
In-stock:
en stock
Méthode de paiement:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, express
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les FET, les MOS
Statut du produit:
Dépassé
Voltage - Nominal:
3 V
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Figure du bruit:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
79A
Tension - essai:
3 V
Mfr:
Cel
Fréquence:
460 MHz
Les gains:
20 dB
Emballage / boîtier:
4-SMD, conduits plats
Actuel - essai:
300 mA
Puissance - Sortie:
28dBm
Technologie:
ldmos
Rating de courant (ampères):
350 mA
Introduction
RF Mosfet 3 V 300 mA 460MHz 20dB 28dbm 79A
Envoyez le RFQ
Le stock:
In Stock
Nombre de pièces: