PD20010-E
Définition:
FET POWERSO-10RF DU TRANSPORT RF N-CH
Catégorie:
Circuit intégré de TI
In-stock:
en stock
Méthode de paiement:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, express
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les FET, les MOS
Statut du produit:
Dépassé
Voltage - Nominal:
40 V
Le paquet:
Tuyaux
Série:
-
Figure du bruit:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
PowerSO-10RF (avance formée)
Tension - essai:
13,6 V
Mfr:
STMicroélectronique
Fréquence:
2 GHz
Les gains:
11 dB
Emballage / boîtier:
PowerSO-10RF a exposé la protection inférieure (2 avances formées)
Actuel - essai:
150 mA
Puissance - Sortie:
10 W
Technologie:
ldmos
Rating de courant (ampères):
5A
Numéro du produit de base:
PD20010
Introduction
RF Mosfet 13,6 V 150 mA 2 GHz 11 dB 10W PuissanceSO-10RF (plomb formé)
Envoyez le RFQ
Le stock:
In Stock
Nombre de pièces: