MRF8P20160HSR5
Définition:
FET RF 2CH 65V 1.92GHZ
Catégorie:
Circuit intégré de TI
In-stock:
en stock
Méthode de paiement:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, express
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les FET, les MOS
Statut du produit:
Dépassé
Type de montage:
Monture de surface
Voltage - Nominal:
65 V
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Configuration:
Double
Série:
-
Figure du bruit:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Pour les appareils de surveillance des risques
Tension - essai:
28 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Fréquence:
10,92 GHz
Les gains:
16.5 dB
Emballage / boîtier:
Pour les appareils de surveillance des risques
Actuel - essai:
550mA
Puissance - Sortie:
37W
Technologie:
ldmos
Rating de courant (ampères):
-
Numéro du produit de base:
Résultats de l'enquête
Introduction
RF Mosfet 28 V 550 mA 1,92 GHz 16,5 dB 37W NI-780S-4L
Envoyez le RFQ
Le stock:
In Stock
Nombre de pièces: