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Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
100 mA
Statut du produit:
Actif
Type de transistor:
PNP - Pré-biasé + diode
Fréquence - transition:
250 MHz
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
DTA043E
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC:
Pour les appareils de traitement des ondes électriques
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
VMT3
Résistance - base (R1):
4,7 kOhms
Mfr:
Semi-conducteurs Rohm
Résistance - base d'émetteur (R2):
4,7 kOhms
Courant - Coupe du collecteur (maximum):
500nA
Puissance maximale:
150 mW
Emballage / boîtier:
SOT-723
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce:
20 @ 5mA, 10V
Numéro du produit de base:
DTA043
Introduction
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) PNP - Pré-biasé + diode 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW VMT3
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