RDC2523E0L

Définition:
Trans Prebias NPN 200 MW MINI3
Catégorie:
Circuit intégré de TI
In-stock:
en stock
Méthode de paiement:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, express
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
500 mA
Statut du produit:
Arrêté par Digi-Key
Type de transistor:
NPN - Pré-décentré
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR) Tape à découper (CT) Digi-Reel®
Série:
-
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC:
250 mV @ 5 mA, 100 mA
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Mini3-G3-B
Résistance - base (R1):
2,2 kOhms
Mfr:
Composants électroniques de Panasonic
Résistance - base d'émetteur (R2):
2,2 kOhms
Courant - Coupe du collecteur (maximum):
1µA
Puissance maximale:
200 mW
Emballage / boîtier:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Il est interdit d'utiliser le produit.
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce:
40 @ 100mA, 10V
Numéro du produit de base:
DRC2523
Introduction
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) NPN - Pré-biasé 50 V 500 mA 200 mW Monture de surface MINI3-G3-B
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Le stock:
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