Le PDTC124EQAZ
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
100 mA
Statut du produit:
Actif
Type de transistor:
NPN - Pré-décentré
Fréquence - transition:
230 mégahertz
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
Des véhicules à moteur, AEC-Q101
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC:
150 mV @ 500 μA, 10 mA
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le nombre d'étoiles est le suivant:
Résistance - base (R1):
22 kOhms
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Résistance - base d'émetteur (R2):
22 kOhms
Courant - Coupe du collecteur (maximum):
1µA
Puissance maximale:
280mW
Emballage / boîtier:
3-XDFN Plateau exposé
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce:
60 @ 5mA, 5V
Numéro du produit de base:
Le PDTC124
Introduction
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) NPN - Pré-biasé 50 V 100 mA 230 MHz 280 mW Monture de surface DFN1010D-3
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