Le présent règlement est obligatoire dans tous ses éléments.
Définition:
Trans Prebias PNP 50V 0.2W UMT3F
Catégorie:
Circuit intégré de TI
In-stock:
en stock
Méthode de paiement:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, express
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
100 mA
Statut du produit:
Actif
Type de transistor:
PNP - Pré-biasé + diode
Fréquence - transition:
250 MHz
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
DTA023E
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC:
250mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
UMT3F
Résistance - base (R1):
2,2 kOhms
Mfr:
Semi-conducteurs Rohm
Résistance - base d'émetteur (R2):
2,2 kOhms
Courant - Coupe du collecteur (maximum):
100 mA
Puissance maximale:
200 mW
Emballage / boîtier:
SC-85
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce:
20 @ 20mA, 10V
Numéro du produit de base:
DTA023
Introduction
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) PNP - Pré-biasé + diode 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Monture de surface UMT3F
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Le stock:
In Stock
Nombre de pièces: