UNR522600L
Définition:
Trans Prebias NPN 150 MW SMINI3
Catégorie:
Circuit intégré de TI
In-stock:
en stock
Méthode de paiement:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, express
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
600 mA
Statut du produit:
Dépassé
Type de transistor:
NPN - Pré-décentré
Type de montage:
Monture de surface
Fréquence - transition:
200 MHz
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Tape à découper (CT)
Digi-Reel®
Série:
-
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC:
80 mV @ 2,5 mA, 50 mA
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
20 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le système de contrôle de la qualité est utilisé.
Résistance - base (R1):
4,7 kOhms
Mfr:
Composants électroniques de Panasonic
Courant - Coupe du collecteur (maximum):
1 μA (ICBO)
Puissance maximale:
150 mW
Emballage / boîtier:
SC-70, SOT-323: les résultats de l'enquête ont été publiés.
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce:
100 @ 50mA, 5V
Numéro du produit de base:
Résultats de l'enquête
Introduction
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20 V 600 mA 200 MHz 150 mW Surface Mount SMini3-G1
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