MRF8S23120HR3
Définition:
FET RF 65V 2.3GHZ NI-780
Catégorie:
Circuit intégré de TI
In-stock:
en stock
Méthode de paiement:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, express
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les FET, les MOS
Statut du produit:
Dépassé
Type de montage:
Montage du châssis
Voltage - Nominal:
65 V
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Figure du bruit:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Pour les appareils de traitement des eaux usées
Tension - essai:
28 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Fréquence:
2.3GHz
Les gains:
16 dB
Emballage / boîtier:
Le point de contact est le point de contact.
Actuel - essai:
800 mA
Puissance - Sortie:
28 W
Technologie:
ldmos
Rating de courant (ampères):
-
Numéro du produit de base:
Résultats de l'enquête
Introduction
RF Mosfet 28 V 800 mA 2,3 GHz 16 dB 28 W NI-780H-2L
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Le stock:
In Stock
Nombre de pièces: