Le numéro de téléphone est le numéro de téléphone de l'entreprise.
Définition:
FET RF 2CH 65V 2.9GHZ NI1230
Catégorie:
Circuit intégré de TI
In-stock:
en stock
Méthode de paiement:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, express
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les FET, les MOS
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Montage du châssis
Voltage - Nominal:
65 V
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Configuration:
Double
Série:
-
Figure du bruit:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
NI-1230
Tension - essai:
30 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Fréquence:
2.9GHZ
Les gains:
130,3 dB
Emballage / boîtier:
NI-1230
Actuel - essai:
100 mA
Puissance - Sortie:
320W
Technologie:
ldmos
Rating de courant (ampères):
-
Numéro du produit de base:
Le numéro de téléphone est le MRF8P29300.
Introduction
RF Mosfet 30 V 100 mA 2,9 GHz 13,3 dB 320W NI-1230
Envoyez le RFQ
Le stock:
In Stock
Nombre de pièces: