Le PDTC143ZQBZ
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
100 mA
Statut du produit:
Dépassé
Type de transistor:
NPN - Pré-décentré
Fréquence - transition:
180 mégahertz
Type de montage:
Bâti extérieur, flanc mouillable
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Tape à découper (CT)
Digi-Reel®
Série:
-
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC:
Pour les appareils de type à commande numérique:
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le nombre de personnes concernées est le suivant:
Résistance - base (R1):
4,7 kOhms
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Résistance - base d'émetteur (R2):
47 kOhms
Courant - Coupe du collecteur (maximum):
100nA
Puissance maximale:
340mW
Emballage / boîtier:
3-XDFN Plateau exposé
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce:
100 @ 10 mA, 5 V
Numéro du produit de base:
Le PDTC143
Introduction
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) NPN - Pré-biasé 50 V 100 mA 180 MHz 340 mW Monture de surface, flanc humide DFN1110D-3
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