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Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
100 mA
Statut du produit:
Arrêté par Digi-Key
Type de transistor:
PNP - Pré-participation
Fréquence - transition:
200 MHz
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC:
300mV @ 1mA, 20mA
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Les données sont fournies par les autorités compétentes.
Résistance - base (R1):
2,2 kOhms
Mfr:
Infineon Technologies
Résistance - base d'émetteur (R2):
2,2 kOhms
Courant - Coupe du collecteur (maximum):
100nA (ICBO)
Puissance maximale:
250mW
Emballage / boîtier:
SC-75, SOT-416
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce:
20 @ 20mA, 5V
Numéro du produit de base:
Résultats de l'évaluation
Introduction
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) PNP - Pré-biasé 50 V 100 mA 200 MHz 250 mW Monture de surface PG-SC75-3D
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