Les États membres doivent respecter les règles en matière de protection des données.
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
100 mA
Statut du produit:
Pas pour les nouveaux modèles
Type de transistor:
NPN - Pré-décentré
Type de montage:
Monture de surface
Fréquence - transition:
250 MHz
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Tape à découper (CT)
Digi-Reel®
Série:
Des véhicules à moteur, AEC-Q101
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC:
300mV @ 500µA, 10mA
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
UMT3F
Résistance - base (R1):
22 kOhms
Mfr:
Semi-conducteurs Rohm
Résistance - base d'émetteur (R2):
22 kOhms
Courant - Coupe du collecteur (maximum):
-
Puissance maximale:
200 mW
Emballage / boîtier:
SC-85
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce:
56 @ 5mA, 5V
Numéro du produit de base:
DTC124
Introduction
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) NPN - Pré-biasé 100 mA 250 MHz 200 mW Monture de surface UMT3F
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