Le nombre d'heures d'attente doit être supprimé.
Définition:
Les États membres doivent veiller à ce que les mesures prises soient conformes à l'article 5 du règl
Catégorie:
Circuit intégré de TI
In-stock:
en stock
Méthode de paiement:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, express
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
100 mA
Statut du produit:
Pas pour les nouveaux modèles
Type de transistor:
PNP - Pré-participation
Fréquence - transition:
250 MHz
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC:
300 mV @ 250 μA, 5 mA
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le numéro de référence:
Mfr:
Semi-conducteurs Rohm
Résistance - base d'émetteur (R2):
100 kOhms
Courant - Coupe du collecteur (maximum):
Pour les appareils à commande numérique:
Puissance maximale:
200 mW
Emballage / boîtier:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Il est interdit d'utiliser le produit.
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce:
82 @ 5mA, 5V
Numéro du produit de base:
DTA115
Introduction
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) PNP - Pré-biasé 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Monture de surface SMT3
Envoyez le RFQ
Le stock:
In Stock
Nombre de pièces: