RN2418,LF
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
100 mA
Statut du produit:
Actif
Type de transistor:
PNP - Pré-participation
Fréquence - transition:
200 MHz
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Tape à découper (CT)
Digi-Reel®
Série:
-
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC:
300 mV @ 250 μA, 5 mA
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
S-mini
Résistance - base (R1):
47 kOhms
Mfr:
Semi-conducteur et stockage de Toshiba
Résistance - base d'émetteur (R2):
10 kOhms
Courant - Coupe du collecteur (maximum):
500nA
Puissance maximale:
200 mW
Emballage / boîtier:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Il est interdit d'utiliser le produit.
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce:
50 @ 10mA, 5V
Numéro du produit de base:
RN2418
Introduction
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount S-Mini
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