RN1104CT ((TPL3))
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
50 mA
Statut du produit:
Dépassé
Type de transistor:
NPN - Pré-décentré
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Tape à découper (CT)
Digi-Reel®
Série:
-
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC:
150 mV @ 250 μA, 5 mA
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
20 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
CST3
Résistance - base (R1):
47 kOhms
Mfr:
Semi-conducteur et stockage de Toshiba
Résistance - base d'émetteur (R2):
47 kOhms
Courant - Coupe du collecteur (maximum):
500nA
Puissance maximale:
50 mW
Emballage / boîtier:
SC-101, SOT-883
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce:
120 @ 10mA, 5V
Numéro du produit de base:
RN1104
Introduction
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) NPN - Monture de surface pré-biasée 20 V 50 mA 50 mW CST3
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