FJNS3211RBU
Définition:
Trans Prebias NPN 300 MW à 92 S
Catégorie:
Circuit intégré de TI
In-stock:
en stock
Méthode de paiement:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, express
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
100 mA
Statut du produit:
Dépassé
Type de transistor:
NPN - Pré-décentré
Type de montage:
À travers le trou
Fréquence - transition:
250 MHz
Le paquet:
Produits en vrac
Série:
-
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC:
300mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
40 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-92S
Résistance - base (R1):
22 kOhms
Mfr:
un demi
Courant - Coupe du collecteur (maximum):
100nA (ICBO)
Puissance maximale:
300mW
Emballage / boîtier:
TO-226-3, corps du short TO-92-3
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce:
100 @ 1mA, 5V
Numéro du produit de base:
Le FJNS32
Introduction
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40 V 100 mA 250 MHz 300 mW Through Hole TO-92S
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