RN2102ACT ((TPL3)) Les États membres doivent fournir des informations détaillées sur les mesures à prendre.
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
80 mA
Statut du produit:
Actif
Type de transistor:
PNP - Pré-participation
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Tape à découper (CT)
Digi-Reel®
Série:
-
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC:
150 mV @ 250 μA, 5 mA
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
CST3
Résistance - base (R1):
10 kOhms
Mfr:
Semi-conducteur et stockage de Toshiba
Résistance - base d'émetteur (R2):
10 kOhms
Courant - Coupe du collecteur (maximum):
500nA
Puissance maximale:
100 mW
Emballage / boîtier:
SC-101, SOT-883
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce:
50 @ 10mA, 5V
Numéro du produit de base:
RN2102
Introduction
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) PNP - Montage de surface pré-biasé 50 V 80 mA 100 mW CST3
Envoyez le RFQ
Le stock:
In Stock
Nombre de pièces: