Le numéro MRF101AN
Définition:
Transistors RF de 100 W à 220
Catégorie:
Circuit intégré de TI
In-stock:
en stock
Méthode de paiement:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, express
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les FET, les MOS
Statut du produit:
Actif
Voltage - Nominal:
133 V
Le paquet:
Tuyaux
Série:
-
Figure du bruit:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-220-3
Tension - essai:
50 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Fréquence:
1.8 MHz ~ 250 MHz
Les gains:
21.1 dB
Emballage / boîtier:
TO-220-3
Actuel - essai:
100 mA
Puissance - Sortie:
115W
Technologie:
ldmos
Rating de courant (ampères):
10µA
Numéro du produit de base:
Résultats de l'enquête
Introduction
RF Mosfet 50 V 100 mA 1,8 MHz ~ 250 MHz 21,1 dB 115 W TO-220-3
Envoyez le RFQ
Le stock:
In Stock
Nombre de pièces: