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Définition:
Le projet de projet est réalisé par la société PNP.
Catégorie:
Circuit intégré de TI
In-stock:
en stock
Méthode de paiement:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, express
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
100 mA
Statut du produit:
Actif
Type de transistor:
PNP - Pré-participation
Type de montage:
Monture de surface
Fréquence - transition:
250 MHz
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
DTA114T
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC:
300mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
VMT3
Résistance - base (R1):
10 kOhms
Mfr:
Semi-conducteurs Rohm
Courant - Coupe du collecteur (maximum):
Pour les appareils à commande numérique:
Puissance maximale:
150 mW
Emballage / boîtier:
SOT-723
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce:
100 @ 1mA, 5V
Numéro du produit de base:
DTA114
Introduction
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) PNP - 50 V pré-biasé 100 mA 250 MHz 150 mW Monture de surface VMT3
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Le stock:
In Stock
Nombre de pièces: