Les États membres doivent fournir les informations suivantes:
Définition:
Trans Prebias PNP 300 MW NS-B1
Catégorie:
Circuit intégré de TI
In-stock:
en stock
Méthode de paiement:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, express
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
500 mA
Statut du produit:
Dépassé
Type de transistor:
PNP - Pré-participation
Fréquence - transition:
200 MHz
Type de montage:
À travers le trou
Le paquet:
Coupez la bande (les CT)
Bande et boîte (TB)
Série:
-
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC:
250 mV @ 5 mA, 100 mA
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le numéro de série
Résistance - base (R1):
10 kOhms
Mfr:
Composants électroniques de Panasonic
Résistance - base d'émetteur (R2):
10 kOhms
Courant - Coupe du collecteur (maximum):
1µA
Puissance maximale:
300mW
Emballage / boîtier:
3-SSIP
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce:
60 @ 100mA, 10V
Numéro du produit de base:
Le numéro UNR412
Introduction
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) PNP - Pré-biasé 50 V 500 mA 200 MHz 300 mW à travers le trou NS-A1
Envoyez le RFQ
Le stock:
In Stock
Nombre de pièces: