Le code de référence est UNRL11100A.
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
100 mA
Statut du produit:
Dépassé
Type de transistor:
PNP - Pré-participation
Fréquence - transition:
80 MHz
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Tape à découper (CT)
Série:
-
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC:
250 mV @ 300 μA, 10 mA
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Dépouilles et décharges
Résistance - base (R1):
10 kOhms
Mfr:
Composants électroniques de Panasonic
Résistance - base d'émetteur (R2):
10 kOhms
Courant - Coupe du collecteur (maximum):
500nA
Puissance maximale:
150 mW
Emballage / boîtier:
SC-103
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce:
35 @ 5mA, 10V
Numéro du produit de base:
RNUE11
Introduction
Transistors bipolaires prédéfinis (BJT) PNP - Prédéfinis 50 V 100 mA 80 MHz 150 mW Monture de surface ML4-N1
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Le stock:
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