BAT1505WE6327HTSA1
Les spécifications
				
						Catégorie:
						
																				Produits semiconducteurs discrets
Diodes
Diodes de rf
					
						Actuel - maximum:
						
																				110 mA
					
						Statut du produit:
						
																				Dépassé
					
						Le paquet:
						
																				Tape et bobine (TR)
					
						Série:
						
																				-
					
						Capacité @ Vr, F:
						
																				0.35pF @ 0V, 1MHz
					
						Résistance @ si, F:
						
																				-
					
						Voltage - Période de pointe inverse (max):
						
																				4 V
					
						Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
						
																				PG-SOT323
					
						Mfr:
						
																				Infineon Technologies
					
						Emballage / boîtier:
						
																				SC-70, SOT-323: les résultats de l'enquête ont été publiés.
					
						Dissipation de puissance (maximum):
						
																				100 mW
					
						Type de diode:
						
																				Schottky - cathode commune de 1 paire
					
						Température de fonctionnement:
						
																				150°C (TJ)
					
						Numéro du produit de base:
						
														BAT15
					Introduction
				
						Diode RF Schottky - 1 paire de cathodes communes 4V 110 mA 100 mW PG-SOT323
					                            
                      					
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							Nombre de pièces:
							
							            							    							        							    							        							    							        							    														
						
					
