PDTD123EK,115
Définition:
Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans le tableau ci-dessous:
Catégorie:
Circuit intégré de TI
In-stock:
en stock
Méthode de paiement:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, express
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
500 mA
Statut du produit:
Dépassé
Type de transistor:
NPN - Pré-décentré
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC:
300mV @ 2.5mA, 50mA
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Les données de base sont fournies par les autorités compétentes.
Résistance - base (R1):
2,2 kOhms
Mfr:
NXP USA Inc.
Résistance - base d'émetteur (R2):
2,2 kOhms
Courant - Coupe du collecteur (maximum):
500nA
Puissance maximale:
250mW
Emballage / boîtier:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Il est interdit d'utiliser le produit.
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce:
40 @ 50mA, 5V
Numéro du produit de base:
PDTD123
Introduction
Transistors bipolaires préorientés (BJT) NPN - Préorientés 50 V 500 mA 250 mW Monture de surface SMT3; MPAK
Envoyez le RFQ
Le stock:
In Stock
Nombre de pièces: