BAT1705WE6327HTSA1
Définition:
DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT323-3
Catégorie:
Circuit intégré de TI
In-stock:
en stock
Méthode de paiement:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, express
Les spécifications
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Diodes
Diodes de rf
Actuel - maximum:
130 mA
Statut du produit:
Dépassé
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Capacité @ Vr, F:
0.75pF @ 0V, 1MHz
Résistance @ si, F:
15Ohm @ 5mA, 10kHz
Voltage - Période de pointe inverse (max):
4 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
PG-SOT323
Mfr:
Infineon Technologies
Emballage / boîtier:
SC-70, SOT-323: les résultats de l'enquête ont été publiés.
Dissipation de puissance (maximum):
150 mW
Type de diode:
Schottky - cathode commune de 1 paire
Température de fonctionnement:
150°C (TJ)
Numéro du produit de base:
BAT1705
Introduction
Diode RF Schottky - 1 paire de cathodes communes 4V 130 mA 150 mW PG-SOT323
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Le stock:
In Stock
Nombre de pièces: