Le nombre de personnes concernées par le traitement doit être déterminé en tenant compte de l'expérience acquise.
Définition:
Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin annuel de l'Union européenne.
Catégorie:
Circuit intégré de TI
In-stock:
en stock
Méthode de paiement:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, express
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
100 mA
Statut du produit:
Actif
Type de transistor:
NPN - Pré-décentré
Fréquence - transition:
250 MHz
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
Le nombre de points de contrôle est calculé en fonction de l'échantillon.
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC:
300 mV @ 250 μA, 5 mA
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le SOT-23-3
Résistance - base (R1):
10 kOhms
Mfr:
Diodes incorporées
Résistance - base d'émetteur (R2):
47 kOhms
Courant - Coupe du collecteur (maximum):
500nA
Puissance maximale:
200 mW
Emballage / boîtier:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Il est interdit d'utiliser le produit.
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce:
80 @ 5mA, 5V
Numéro du produit de base:
Le DDTC114
Introduction
Transistor bipolaire pré-polarisé (BJT) NPN - Pré-polarisé 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Montage en surface SOT-23-3
Envoyez le RFQ
Le stock:
In Stock
Nombre de pièces: