Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:
Définition:
Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin annuel de la Commission.
Catégorie:
Circuit intégré de TI
In-stock:
en stock
Méthode de paiement:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, express
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
80 mA
Statut du produit:
Arrêté par Digi-Key
Type de transistor:
PNP - Pré-participation
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC:
Pour les appareils de traitement des ondes électriques
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
SSMini3-F3-B
Résistance - base (R1):
10 kOhms
Mfr:
Composants électroniques de Panasonic
Résistance - base d'émetteur (R2):
47 kOhms
Courant - Coupe du collecteur (maximum):
500nA
Puissance maximale:
125 mW
Emballage / boîtier:
SC-89, SOT-490
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce:
80 @ 5mA, 10V
Numéro du produit de base:
DRA9A
Introduction
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) PNP - Pré-biasé 50 V 80 mA 125 mW Monture de surface SSMini3-F3-B
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Le stock:
In Stock
Nombre de pièces: